技术参数
时间温度描迹(TTP) & 时间功率描迹(TPP):
● 加熱温差:0℃-300℃,高温差:600℃;● 提前预热室温:50~135℃提取室温:200℃~300℃;● 加温时延: 1℃/s~50℃/s;● 去应力退火处理平均温度:15℃-300℃去应力退火处理时段:15min;● HV:0~-1500V 超高压稳定可靠性:<0.005%;剂量数据读取系统参数
● 象征性的受热模块电源,钝化受热;半导体材料空调制冷剂+汽体空调制冷剂;● 非线性化:≤1%,加熱室温不稳性(操控精准度):±1℃;● 用量测量方法曲线範圍:10 Gy~10Gy(LiF:Mg,Cu,P) (加衰减滤光片上限led光通量100Gy)10-9Gy~300Gy(LiF:Mg,Ti-M)(敏化)
10-9Gy~10Gy(LiF:Mg,Ti);
● 热处理的温度测量误差:≤ ±1℃;热处理日期重新性:≤0.1%;● 重复性:1 mGy137Cs,较差<1%;
● 可检查建设项目:γ、β、X 放射线使用量,中子;● 读数器维持性:联续10次估测, RSD ≤ 0.1%●系統太久稳定的性:同样机时间8小的时候测量方法, RSD ≤ 0.1%。
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